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元件参数资料
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参数目录39814
> FDFMA2P853T MOSFET P-CH 20V 3A 6-MICROFET
型号:
FDFMA2P853T
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Fairchild Semiconductor
描述:
MOSFET P-CH 20V 3A 6-MICROFET
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
FDFMA2P853T PDF
标准包装
3,000
系列
PowerTrench®
FET 型
MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点
二极管(隔离式)
漏极至源极电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
3A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
120 毫欧 @ 3A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
1.3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
6nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
435pF @ 10V
功率 - 最大
700mW
安装类型
表面贴装
封装/外壳
6-WDFN 裸露焊盘
供应商设备封装
6-MicroFET(2x2)
包装
带卷 (TR)
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